型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
![]()
品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor7432 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor9918 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor7439 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor3052 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor6886 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor7181 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor7427 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor3828 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor3676 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor2775 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors5450 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors9973 -
![]()
品类: TVS二极管描述: 硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Supressors2919
